Número do Produto do Fabricante:
IXTT10N100D
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTT10N100D-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 10A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventário:
12820252
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IXTT10N100D Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Depletion
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Recurso FET
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)
400W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268AA
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
IXTT10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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