Número do Produto do Fabricante:
IXTQ60N10T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTQ60N10T-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 60A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
13270673
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IXTQ60N10T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Trench
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2650 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
176W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
IXTQ60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
238-IXTQ60N10T
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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