IXTQ30N50P
Número do Produto do Fabricante:

IXTQ30N50P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXTQ30N50P-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventário:

12908503
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IXTQ30N50P Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
Polar
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4150 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
460W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
IXTQ30

Folha de Dados & Documentos

Informação Adicional

Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
STW19NM50N
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
337
NÚMERO DA PEÇA
STW19NM50N-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
APT30F50B
FABRICANTE
Microchip Technology
QUANTIDADE DISPONÍVEL
86
NÚMERO DA PEÇA
APT30F50B-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.10
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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