Número do Produto do Fabricante:
IXTQ170N10P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTQ170N10P-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12818895
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IXTQ170N10P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Polar
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
198 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
715W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
IXTQ170
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-IXTQ170N10P
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFP4110PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3922
NÚMERO DA PEÇA
IRFP4110PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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