Número do Produto do Fabricante:
IXTQ160N10T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTQ160N10T-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12823211
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IXTQ160N10T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Trench
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6600 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
430W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
IXTQ160
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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