Número do Produto do Fabricante:
IXTQ102N20T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTQ102N20T-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 102A (Tc) 750W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12820013
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IXTQ102N20T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
Trench
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
750W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
IXTQ102
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFP90N20DPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
574
NÚMERO DA PEÇA
IRFP90N20DPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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