Número do Produto do Fabricante:
IXTP4N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTP4N65X2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
232 Pcs Novo Original Em Estoque
12821752
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IXTP4N65X2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Ultra X2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
455 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IXTP4
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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