Número do Produto do Fabricante:
IXTP1N100
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTP1N100-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12822240
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IXTP1N100 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 25µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
54W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IXTP1
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFP4N100P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXFP4N100P-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.40
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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