IXTP18P10T

Número do Produto do Fabricante:

IXTP18P10T

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXTP18P10T-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB

Descrição Detalhada:

P-Channel 100 V 18A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventário:

2485 Pcs Novo Original Em Estoque

12819581

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

IXTP18P10T Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

Tube

Série

TrenchP™

Status do produto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

100 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 9A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

39 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±15V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2100 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

83W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-220-3

Pacote / Estojo

TO-220-3

Número do produto base

IXTP18

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

IXT(Y,A,P)18P10T

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão

50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

littelfuse

IXTP36N30P

MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB

littelfuse

IXFH4N100Q

MOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD

littelfuse

IXFN220N20X3

MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B

littelfuse

IXTA3N120

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263