Número do Produto do Fabricante:
IXTP110N12T2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTP110N12T2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 120 V 110A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12820749
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IXTP110N12T2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
TrenchT2™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6570 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
517W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IXTP110
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDP2532
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
FDP2532-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IXTP80N12T2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXTP80N12T2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.26
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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