IXTN32P60P

Número do Produto do Fabricante:

IXTN32P60P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXTN32P60P-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

Descrição Detalhada:

P-Channel 600 V 32A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventário:

226 Pcs Novo Original Em Estoque

12820869

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IXTN32P60P Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

Tube

Série

PolarP™

Status do produto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

600 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

32A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 1mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

196 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

11100 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

890W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Chassis Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

SOT-227B

Pacote / Estojo

SOT-227-4, miniBLOC

Número do produto base

IXTN32

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão

10

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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