IXTN21N100

Número do Produto do Fabricante:

IXTN21N100

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXTN21N100-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B

Descrição Detalhada:

N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventário:

RFQ Online

12818946

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IXTN21N100 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

-

Série

MegaMOS™

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

1000 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4.5V @ 500µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

250 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

8400 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

520W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Chassis Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

SOT-227B

Pacote / Estojo

SOT-227-4, miniBLOC

Número do produto base

IXTN21

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

IXTN21N100-NDR

Pacote padrão

10

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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