Número do Produto do Fabricante:
IXTM12N100
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTM12N100-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO204AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA (IXTM)
Inventário:
12819937
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IXTM12N100 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
GigaMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-204AA (IXTM)
Pacote / Estojo
TO-204AA, TO-3
Número do produto base
IXTM12
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
20
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STW13NK100Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STW13NK100Z-DG
PREÇO UNITÁRIO
6.20
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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