IXTL2N470

Número do Produto do Fabricante:

IXTL2N470

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXTL2N470-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK

Descrição Detalhada:

N-Channel 4700 V 2A (Tc) 220W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™

Inventário:

61 Pcs Novo Original Em Estoque

12821125

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IXTL2N470 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

Tube

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

4700 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

2A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20Ohm @ 1A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

6V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

180 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

6860 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

220W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

ISOPLUSi5-Pak™

Pacote / Estojo

ISOPLUSi5-PAK™

Número do produto base

IXTL2

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

-IXTL2N470

Pacote padrão

25

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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