Número do Produto do Fabricante:
IXTH1N200P3HV
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTH1N200P3HV-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Descrição Detalhada:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247HV
Inventário:
294 Pcs Novo Original Em Estoque
12819661
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IXTH1N200P3HV Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Polar P3™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
2000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
646 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247HV
Pacote / Estojo
TO-247-3 Variant
Número do produto base
IXTH1
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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