IXTH1N170DHV
Número do Produto do Fabricante:

IXTH1N170DHV

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXTH1N170DHV-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Descrição Detalhada:
N-Channel 1700 V 1A (Tj) 290W (Tc) Through Hole TO-247HV

Inventário:

16 Pcs Novo Original Em Estoque
12819237
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IXTH1N170DHV Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Depletion
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16Ohm @ 500mA, 0V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3090 pF @ 25 V
Recurso FET
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)
290W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247HV
Pacote / Estojo
TO-247-3 Variant
Número do produto base
IXTH1

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
IXT(A,H)1N170DHV
Fichas Técnicas
IXTH1N170DHV
Folha de Dados HTML
IXTH1N170DHV-DG

Informação Adicional

Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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