Número do Produto do Fabricante:
IXTB30N100L
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTB30N100L-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventário:
12819336
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IXTB30N100L Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Linear
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 500mA, 20V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
545 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
800W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PLUS264™
Pacote / Estojo
TO-264-3, TO-264AA
Número do produto base
IXTB30
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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