Número do Produto do Fabricante:
IXTA3N100D2-TRL
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTA3N100D2-TRL-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 3A (Tj) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
13271097
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IXTA3N100D2-TRL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
Depletion
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1020 pF @ 25 V
Recurso FET
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IXTA3
Informação Adicional
Outros nomes
238-IXTA3N100D2-TRLTR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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