Número do Produto do Fabricante:
IXT-1-1N100S1
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXT-1-1N100S1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc)
Inventário:
12821076
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IXT-1-1N100S1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
-
Pacote / Estojo
-
Número do produto base
IXT-1
Informação Adicional
Pacote padrão
94
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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