Número do Produto do Fabricante:
IXFX32N80Q3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFX32N80Q3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventário:
767 Pcs Novo Original Em Estoque
12904375
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IXFX32N80Q3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Q3 Class
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
6.5V @ 4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6940 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1000W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PLUS247™-3
Pacote / Estojo
TO-247-3 Variant
Número do produto base
IXFX32
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
-IXFX32N80Q3
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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