IXFT9N80Q

Número do Produto do Fabricante:

IXFT9N80Q

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFT9N80Q-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 800V 9A TO268

Descrição Detalhada:

N-Channel 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventário:

RFQ Online

12822816

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IXFT9N80Q Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

-

Série

HiPerFET™, Q Class

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

800 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx) @ id

5V @ 2.5mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

56 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2200 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

180W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-268AA

Pacote / Estojo

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Número do produto base

IXFT9N80

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão

1

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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