IXFT80N65X2HV
Número do Produto do Fabricante:

IXFT80N65X2HV

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFT80N65X2HV-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)

Inventário:

RFQ Online
12821035
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IXFT80N65X2HV Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8300 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268HV (IXFT)
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
IXFT80

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
IXFT80N65X2HV
Fichas Técnicas
IXFT80N65X2HV
Folha de Dados HTML
IXFT80N65X2HV-DG

Informação Adicional

Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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