Número do Produto do Fabricante:
IXFT80N10Q
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFT80N10Q-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 80A TO268
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventário:
12820489
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IXFT80N10Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
HiPerFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268AA
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
IXFT80
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTT110N10L2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5
NÚMERO DA PEÇA
IXTT110N10L2-DG
PREÇO UNITÁRIO
13.28
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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