Número do Produto do Fabricante:
IXFT16N120P-TRL
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFT16N120P-TRL-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventário:
13271157
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IXFT16N120P-TRL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HiPerFET™, Polar
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
6.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
660W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
IXFT16
Informação Adicional
Outros nomes
238-IXFT16N120P-TRLTR
Pacote padrão
400
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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