Número do Produto do Fabricante:
IXFR21N100Q
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFR21N100Q-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 350W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventário:
12819785
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IXFR21N100Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
HiPerFET™, Q Class
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
350W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ISOPLUS247™
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IXFR21
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFR32N100Q3
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
30
NÚMERO DA PEÇA
IXFR32N100Q3-DG
PREÇO UNITÁRIO
31.33
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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