Número do Produto do Fabricante:
IXFQ8N85X
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFQ8N85X-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 850V 8A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 850 V 8A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
13270663
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IXFQ8N85X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
850 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
654 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
IXFQ8N85
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
238-IXFQ8N85X
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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