IXFQ50N60X

Número do Produto do Fabricante:

IXFQ50N60X

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFQ50N60X-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 50A TO3P

Descrição Detalhada:

N-Channel 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventário:

RFQ Online

12820568

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IXFQ50N60X Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

Tube

Série

HiPerFET™, Ultra X

Status do produto

Last Time Buy

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

600 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 25A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4.5V @ 4mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

116 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

4660 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

660W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-3P

Pacote / Estojo

TO-3P-3, SC-65-3

Número do produto base

IXFQ50

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

IXF(H,Q,T)50N60X

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão

30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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