Número do Produto do Fabricante:
IXFP4N85XM
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFP4N85XM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12819540
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IXFP4N85XM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Polar
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
850 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
247 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
IXFP4N85
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK7A90E,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
95
NÚMERO DA PEÇA
TK7A90E,S4X-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.63
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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