Número do Produto do Fabricante:
IXFN66N50Q2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFN66N50Q2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 66A (Tc) 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventário:
12820884
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IXFN66N50Q2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
HiPerFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
199 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
735W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Pacote / Estojo
SOT-227-4, miniBLOC
Número do produto base
IXFN66
Informação Adicional
Pacote padrão
10
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STE53NC50
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STE53NC50-DG
PREÇO UNITÁRIO
30.09
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IXFN80N50Q3
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
10
NÚMERO DA PEÇA
IXFN80N50Q3-DG
PREÇO UNITÁRIO
38.11
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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