Número do Produto do Fabricante:
IXFN50N120SIC
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFN50N120SIC-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventário:
15 Pcs Novo Original Em Estoque
12820664
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IXFN50N120SIC Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Pacote / Estojo
SOT-227-4, miniBLOC
Número do produto base
IXFN50
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
10
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IXFP30N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
IXTQ110N055P
MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
IXFH36N55Q
MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD
