Número do Produto do Fabricante:
IXFN32N120P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFN32N120P-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventário:
12819076
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IXFN32N120P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Polar
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
6.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
21000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1000W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Pacote / Estojo
SOT-227-4, miniBLOC
Número do produto base
IXFN32
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
-IXFN32N120P
Pacote padrão
10
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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