Número do Produto do Fabricante:
IXFN26N120P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFN26N120P-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 23A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventário:
12820685
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IXFN26N120P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Polar
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
6.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
695W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Pacote / Estojo
SOT-227-4, miniBLOC
Número do produto base
IXFN26
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
10
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
APT10045JLL
FABRICANTE
Microchip Technology
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4
NÚMERO DA PEÇA
APT10045JLL-DG
PREÇO UNITÁRIO
34.42
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IXFN38N100P
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
IXTT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
IXFK32N100X
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
