Número do Produto do Fabricante:
IXFN21N100Q
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFN21N100Q-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventário:
12820653
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IXFN21N100Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
HiPerFET™, Q Class
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Pacote / Estojo
SOT-227-4, miniBLOC
Número do produto base
IXFN21
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
10
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFN32N100Q3
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8
NÚMERO DA PEÇA
IXFN32N100Q3-DG
PREÇO UNITÁRIO
46.94
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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