Número do Produto do Fabricante:
IXFK30N110P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFK30N110P-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 1100 V 30A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventário:
12820779
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IXFK30N110P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
HiPerFET™, Polar
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
6.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13600 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
960W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-264AA (IXFK)
Pacote / Estojo
TO-264-3, TO-264AA
Número do produto base
IXFK30
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
APT29F100L
FABRICANTE
Microchip Technology
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
APT29F100L-DG
PREÇO UNITÁRIO
12.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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