IXFK120N20

Número do Produto do Fabricante:

IXFK120N20

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFK120N20-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA

Descrição Detalhada:

N-Channel 200 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventário:

RFQ Online

12820953

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IXFK120N20 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

-

Série

HiPerFET™

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

200 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 60A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 8mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

300 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

9100 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

560W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-264AA (IXFK)

Pacote / Estojo

TO-264-3, TO-264AA

Número do produto base

IXFK120

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

IXFK120N20-NDR

Pacote padrão

25

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

Not Applicable

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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