Número do Produto do Fabricante:
IXFJ20N85X
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFJ20N85X-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 850V 9.5A ISO TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 850 V 9.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole ISO TO-247-3
Inventário:
12819042
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IXFJ20N85X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
850 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1660 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ISO TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IXFJ20
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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