IXFH6N120
Número do Produto do Fabricante:

IXFH6N120

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFH6N120-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventário:

290 Pcs Novo Original Em Estoque
12819477
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IXFH6N120 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AD (IXFH)
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IXFH6

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
IXFH6N120
Fichas Técnicas
IXFH6N120
Folha de Dados HTML
IXFH6N120-DG

Informação Adicional

Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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