IXFH52N30P
Número do Produto do Fabricante:

IXFH52N30P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFH52N30P-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Descrição Detalhada:
N-Channel 300 V 52A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventário:

RFQ Online
12821548
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IXFH52N30P Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Polar
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
300 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3490 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
400W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AD (IXFH)
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IXFH52

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
IXF(H,V)52N30P(S)
Fichas Técnicas
IXFH52N30P
Folha de Dados HTML
IXFH52N30P-DG

Informação Adicional

Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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