IXFH46N65X3
Número do Produto do Fabricante:

IXFH46N65X3

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFH46N65X3-DG

Descrição:

MOSFET 46A 650V X3 TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)

Inventário:

352 Pcs Novo Original Em Estoque
12997474
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IXFH46N65X3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X3
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
73mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.2V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247 (IXFH)
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IXFH46

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
238-IXFH46N65X3
Pacote padrão
300

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
panjit

PJS6403_S1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

goford-semiconductor

GT52N10D5

MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L

nexperia

PXP012-30QLJ

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

epc-space

FBG10N30BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B