Número do Produto do Fabricante:
IXFH18N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFH18N65X2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventário:
13270781
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IXFH18N65X2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1520 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
290W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247 (IXTH)
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IXFH18
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
238-IXFH18N65X2
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCH190N65F-F155
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
415
NÚMERO DA PEÇA
FCH190N65F-F155-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.95
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4.30
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2.83
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PREÇO UNITÁRIO
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PREÇO UNITÁRIO
1.67
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