IXFH10N80P

Número do Produto do Fabricante:

IXFH10N80P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFH10N80P-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD

Descrição Detalhada:

N-Channel 800 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventário:

72 Pcs Novo Original Em Estoque

12821729

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IXFH10N80P Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

Tube

Série

HiPerFET™, Polar

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

800 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 5A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

5.5V @ 2.5mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2050 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

300W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-247AD (IXFH)

Pacote / Estojo

TO-247-3

Número do produto base

IXFH10

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

IXF(A,P,Q,H)10N80P

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão

30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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