Número do Produto do Fabricante:
IV1Q12160T4
Product Overview
Fabricante:
Inventchip
DiGi Electronics Número da Peça:
IV1Q12160T4-DG
Descrição:
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 138W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
106 Pcs Novo Original Em Estoque
12974633
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IV1Q12160T4 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Inventchip Technology
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
2.9V @ 1.9mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
885 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
138W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
4084-IV1Q12160T4
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Certificação DIGI
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