IRFAC50
Número do Produto do Fabricante:

IRFAC50

Product Overview

Fabricante:

International Rectifier

DiGi Electronics Número da Peça:

IRFAC50-DG

Descrição:

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 10.6A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)

Inventário:

129 Pcs Novo Original Em Estoque
12933227
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IRFAC50 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10.6A
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
-
Vgs (máx.)
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-204AA (TO-3)
Pacote / Estojo
TO-204AA, TO-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
2156-IRFAC50
IRFIRFIRFAC50
Pacote padrão
41

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
renesas-electronics-america

2SK3140-02-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

CPH3445-TL-E

NCH 4V DRIVE SERIES

renesas-electronics-america

2SK3055(1)-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

CPH5811-TL-E

NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES