Número do Produto do Fabricante:
IRF60B217
Product Overview
Fabricante:
International Rectifier
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF60B217-DG
Descrição:
TRENCH 40<-<100V
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventário:
3490 Pcs Novo Original Em Estoque
12976825
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IRF60B217 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2230 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-1
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRF60B217
Pacote padrão
388
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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