AUIRFU8401
Número do Produto do Fabricante:

AUIRFU8401

Product Overview

Fabricante:

International Rectifier

DiGi Electronics Número da Peça:

AUIRFU8401-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 79W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventário:

8142 Pcs Novo Original Em Estoque
12946210
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

AUIRFU8401 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.25mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
INFIRFAUIRFU8401
2156-AUIRFU8401
Pacote padrão
457

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
fairchild-semiconductor

FCP9N60N

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDMC0202S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

renesas-electronics-america

2SJ356(0)-T1-AY

2SJ356 - SIGNAL DEVICE

international-rectifier

IRFSL7730PBF

IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P