Número do Produto do Fabricante:
SPU30N03S2L-10
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPU30N03S2L-10-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 82W (Tc) Through Hole P-TO251-3-1
Inventário:
12807006
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SPU30N03S2L-10 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
39.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1460 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
82W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
P-TO251-3-1
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
SPU30N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000013467
SPU30N03S2L-10IN
SPU30N03S2L10X
SPU30N03S2L-10XTIN-DG
SPU30N03S2L-10IN-NDR
SPU30N03S2L-10XTIN
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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