Número do Produto do Fabricante:
SPU18P06P
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPU18P06P-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO251-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 18.6A (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventário:
12807302
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SPU18P06P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
SPU18P
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-SPU18P06P-IT
INFINFSPU18P06P
SPU18P06PIN
SPU18P06PXK
SPU18P06PX
SP000012303
SPU18P06P-DG
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRLR3110ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
IRFR3504TRRPBF
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
IRFU3303PBF
MOSFET N-CH 30V 33A IPAK
