Número do Produto do Fabricante:
SPP04N80C3XK
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPP04N80C3XK-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventário:
12807670
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SPP04N80C3XK Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 240µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
570 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SPP04N
Informação Adicional
Outros nomes
SP000013706
2156-SPP04N80C3XK
IFEINFSPP04N80C3XK
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SPP04N80C3XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
590
NÚMERO DA PEÇA
SPP04N80C3XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.65
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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