Número do Produto do Fabricante:
SPI80N10L
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPI80N10L-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventário:
13064307
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SPI80N10L Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Empacotamento
Tube
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4540 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3-1
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
SPI80N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000014351
SPI80N10LX
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD80N10F7
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2500
NÚMERO DA PEÇA
STD80N10F7-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.69
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRLZ24NSPBF
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
SPB18P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
SPD07N60C3ATMA1
LOW POWER_LEGACY
