SPI80N06S-08
Número do Produto do Fabricante:

SPI80N06S-08

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

SPI80N06S-08-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1

Inventário:

12807020
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SPI80N06S-08 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 240µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
187 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3660 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3-1
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
SPI80N

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SP000054055
SPI80N06S08
SP000084809
Pacote padrão
500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IRF3205ZLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3938
NÚMERO DA PEÇA
IRF3205ZLPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.67
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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